真空蒸鍍與真空濺鍍的區別與差異

真空蒸鍍與真空濺鍍作為光學(xué)濾光片經(jīng)常用到的兩種真空鍍膜方式，在其制作以及成品應用上有很大的區別，下面我們將從這兩者的原理、工藝以及應用上的差距，為大家說(shuō)說(shuō)這兩者的區別！

（電子束蒸發(fā)鍍膜）

原理分析

真空蒸鍍通常采用電阻加熱、電子束加熱、感應加熱等方式使鍍膜材料蒸發(fā)，鍍膜材料被加熱后蒸氣在基片上冷凝形成薄膜，在此真空環(huán)境下，材料原子自由飛行，粒子的能量相對較低，碰撞概率低，經(jīng)過(guò)蒸鍍后的薄膜相對較為松散，致密性稍差，附著(zhù)力也相對較弱，在一些情況下可能需要進(jìn)行后續處理來(lái)增強附著(zhù)力，尤其需要避免一些多元合金或化合物鍍膜材料在蒸發(fā)過(guò)程中可能會(huì )出現成分偏析的情況。

真空濺鍍，即真空濺射鍍膜，通過(guò)高能離子（如氬離子等）轟擊靶材，使靶材表面原子或分子濺射出來(lái)，并沉積在基底材料表面形成薄膜，由于是通過(guò)在真空室內產(chǎn)生等離子體，且加速離子能量較高，撞擊靶材時(shí)濺射原子在沉積時(shí)具有更高的動(dòng)能，形成的薄膜變得更致密且均勻性較好，分布均勻，附著(zhù)力也較強。

（濺射鍍膜）

工藝特點(diǎn)不同

真空蒸鍍膜適用于大多數金屬、氧化物、硫化物等材料的鍍膜，但對于一些高熔點(diǎn)、難蒸發(fā)的材料可能不太適用。一般情況下，真空蒸鍍膜的鍍膜速率相對較快。蒸發(fā)過(guò)程中，材料可以快速氣化并沉積在基底上；整體而言，真空蒸鍍膜的工藝控制相對較簡(jiǎn)單，主要控制參數包括蒸發(fā)溫度、真空度、沉積時(shí)間等。

真空濺射鍍可以用于各種材料，包括高熔點(diǎn)材料、陶瓷、合金等，適用范圍更廣，真空濺射膜的鍍膜速率相對較慢，因為濺射過(guò)程中粒子的能量較低，沉積效率相對較低，真空濺射膜的工藝控制相對復雜，需要控制的參數較多，如濺射功率、氣壓、靶材與基底的距離等，離子體的產(chǎn)生和粒子的運動(dòng)軌跡，靶材與基底的距離也會(huì )影響薄膜的質(zhì)量等，這些參數之間相互影響，需要精確調整才能獲得高質(zhì)量的薄膜。

注：濺射粒子在與基底相互作用時(shí)具有較高的動(dòng)能，能夠產(chǎn)生較強的附著(zhù)力，但濺射過(guò)程中產(chǎn)生的濺射粒子數量相對有限，且濺射粒子在運動(dòng)過(guò)程中會(huì )受到氣體分子的碰撞等影響，其到達基底的效率相對較低，為了保證濺射粒子能夠直線(xiàn)運動(dòng)到基底表面以獲得較好的薄膜質(zhì)量，通常需要在較低的氣壓下進(jìn)行濺射鍍膜，這也限制了單位時(shí)間內到達基底的粒子數量，從而導致鍍膜速率相對較慢。

應用領(lǐng)域不同原因

 光學(xué)領(lǐng)域

真空蒸鍍膜在光學(xué)鍍膜方面應用廣泛，主要是因為其鍍膜速率快、成本低，能夠滿(mǎn)足大規模生產(chǎn)光學(xué)元件的需求。對于一些對薄膜質(zhì)量要求不是特別高的光學(xué)應用，如普通的眼鏡鏡片增透膜等，真空蒸鍍膜是一種經(jīng)濟有效的選擇。

真空濺射膜在高精度光學(xué)儀器、激光器件等領(lǐng)域應用更多，是因為其薄膜質(zhì)量更高，如致密性好、均勻性好、附著(zhù)力強等，能夠滿(mǎn)足這些高端光學(xué)器件對光學(xué)性能和穩定性的嚴格要求。

電子領(lǐng)域

真空濺射膜在電子領(lǐng)域廣泛應用，是因為電子器件對薄膜的性能要求非常高，需要良好的致密性、附著(zhù)力和成分均勻性，以確保器件的穩定性和可靠性。真空濺射膜能夠滿(mǎn)足這些要求，例如在半導體器件制造中，薄膜的質(zhì)量直接影響器件的性能和壽命。

真空蒸鍍膜在電子領(lǐng)域應用相對較少，主要是因為其薄膜性能在某些方面不能滿(mǎn)足電子器件的嚴格要求，如附著(zhù)力較弱可能導致薄膜在后續的加工或使用過(guò)程中容易脫落。

裝飾領(lǐng)域

真空蒸鍍膜在裝飾領(lǐng)域應用廣泛，是因為其可以通過(guò)控制蒸發(fā)材料和工藝參數，獲得各種豐富的顏色和光澤，而且成本相對較低，適合大規模生產(chǎn)裝飾性產(chǎn)品。

真空濺射膜在裝飾領(lǐng)域應用較少，是因為其成本較高、工藝復雜，對于裝飾性要求為主的產(chǎn)品來(lái)說(shuō)，性?xún)r(jià)比相對較低。